2015年12月28日，应计算机体系结构国家重点实验室的邀请，中国科学院微电子研究所的刘明院士访问了计算所，做了题为《非易失存储器发展态势和挑战》的学术报告，并与国重实验室就新型存储器进行了学术交流。本次报告在计算所四楼报告厅举行，由李晓维研究员主持。
刘明院士是微电子所研究员，长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献，并于2015年当选中国科学院院士。
在本次报告中，刘明院士围绕非易失存储器，分别介绍了非易失存储器的发展态势，面临的挑战，新型的非易失性存储器和对未来的展望。刘明院士首先从固体器件的发展历史说起，介绍了非易失存储器的发明和发展历程、实际应用、市场规模、闪存架构等。接着她介绍了当前最常用的非易失存储器—闪存的发展路线和面临的挑战。由于闪存的尺寸微缩已接近其物理极限，已经难以继续提高其存储密度和性能来满足大数据时代对信息存储和处理的需求。为了应对这些挑战，新型的非易失存储器成为近年来的研究热点。刘明院士介绍了三种新型存储器：磁存储器(MRAM)，相变存储器(PRAM)和阻变存储器(RRAM)，分别讲解了这些新型非易失存储器的发展历程，存储机理，器件性能，和各自的优势与挑战。最后，刘明院士介绍了她对新型存储器的研究展望，包括存储技术发展的新趋势，类脑计算等前沿研究。
学术报告后，参与的师生还向刘明院士请教了忆阻器的发现、新型非易失存储器在体系结构中的应用以及如何从事学术研究等问题。国重实验室的李华伟研究员、陈云霁研究员、韩银和研究员也分别介绍了自己的研究工作，并与刘明院士进行了深入交流。
